硫化矿浸出过程的半导体-溶液界面分析.pdf

硫化矿浸出过程的半导体溶液界面分析 李宏煦， 王淀佐 （北京有色金属研究总院， 北京 “ “ “ ） 摘要硫化矿氧化浸出过程实际是半导体溶液界面电子或空穴转移的过程， 基于传统半导体界面氧化理论， 根据硫化矿 半导体表面能级与溶液氧化还原对的关系， 系统分析硫化矿溶液界面电子或空穴转移步骤， 揭示了硫化矿在氧化溶液介质中的 氧化浸出机理。 关键词冶金物理化学； 硫化矿； 半导体溶液界面； 浸出； 氧化机理； 电化学 中图分类号 “ ；“ 7 0 7 8 9 0 ; 7 7 E 7 A 9 8 G D F 0 4 A H 7 E 7 A E 9 硫化矿物 2 （1） 或导电性硫化矿物 2 （1 ） 或导电性 C . I C I C - I C 金属导电性 I C 金属导电性 J C 金属导电性 （J ， ） .C 4 A M 7 A - /，J 7 L 4 F 万方数据 当 ““ 时， 能级几率为“ 3 2 6 0 ， 式中为电子电荷。 可以认为标准氢电极的能级在 0 。应用能带 理论可以解释氧化还原反应及电极电位。氧化还原 电对与能级的关系如图 ’ , B , 4 . , 4 9 B 3 6 2 4 3 6 , 4 5 6 “ / 0 C B , 3 / 2 4 D / . 9 . 9 * 7 H 1 ; K . ’ 3 . 6 H 1 * , 2 3 ’ 1 1 6 * 6 , （5 ; 3 * N . 6 2 3 6 ［］/ 0 1 * 2 3 7 * 2 6 4 . 2 3 7 2 ’ 1 2 5 ; 5 * ’ 6 45 , 3 ; 5 * 2 ’ 1 2 5 ; / ; ; 3 , / 0） 5 6 4 * / * S * . 1 7 4 * 1 * ’ 2 6 H5 * 1 * 2 3 6 * 2 6 4 . 2 3 3 * 2 ’ 1 1 ;’ 6 ’ 1 ; \ * 4’ 6 43 * . 1 7 4 * 1 * ’ 2 6 H * 2 ’ 6 6 4 ’ 3 M * * 4 ’ * 5 * ’ 6 7 3 * 7 . 1 7 4 * ’ 6 4 1 * ’ 2 6 H * 4 . , 1 . 3 6 / 7 “ 8 9 2 ’ 1 2 * 3 75 ； . 1 7 4 *； * 2 6 4 . 2 3 GB 有色金属第E C卷 万方数据