TVS二极管用于半导体桥静电安全性研究 .pdf

图 １ 试验用 ＴＶＳ 外观图 Ｆｉｇ. １ Ａｐｐｅａｒａｎｃｅ ｏｆ ＴＶＳ ｄｉｏｄｅｓ ｕｓｅｄ ｉｎ ｔｅｓｔ ｄｏｉ１０. ３９６９/ ｊ. ｉｓｓｎ. １００１-８３５２. ２０１６. ０３. ０１３ ＴＶＳ 二极管用于半导体桥静电安全性研究 ❋ 左成林 周 彬 杜伟强 南京理工大学化工学院江苏南京，２１００９４ [摘 要] 为了加强半导体桥ＳＣＢ的静电安全性,利用 ＴＶＳ 二极管抗浪涌特性,分别对经 ＴＶＳ 二极管加固前、 后的 ＳＣＢ 进行静电安全性研究 研究结果发现并联 ＴＶＳ 二极管后,ＳＣＢ 的发火时间无显著性变化；在 ５００ ｐＦ、不 串电阻条件下,ＳＣＢ 在 ６ ｋＶ 条件下均未发火,在 ８ ｋＶ 条件下均发火；在 ５００ ｐＦ、不串电阻条件下,ＴＶＳ 二极管加固 后的 ＳＣＢ 在 ９ ｋＶ 条件下均未发火,在 １３ ｋＶ 条件下均发火；９ ｋＶ 静电作用后,ＴＶＳ 加固后 ＳＣＢ 的发火时间无显著 性变化 因此,ＴＶＳ 二极管既能不影响 ＳＣＢ 的正常发火性能,又能有效提高 ＳＣＢ 的静电安全性 [关键词] 半导体桥；ＴＶＳ 二极管；静电安全性 [分类号] ＴＪ４５０ 引言 半导体桥ＳＣＢ [１-２] 是利用微电子技术发展起 来的新型电火工品,具有作用迅速、体积小、发火能 量低、可靠性好等优点,且具有一定的抗静电能 力[３] 但是近年来,电火工品的静电安全性问题日 益突出,半导体桥的静电安全性有必要得到进一步 提高 国内外研究者对电火工品的静电安全性进行了 多年的研究,提出了采用静电泄放通道[４]、增加绝 缘环[５]、集成齐纳二极管[６]、并联压敏电阻和 ＴＶＳ 二极管等方法[７-８] 任钢[９]利用 ＴＶＳ 二极管对半导 体桥进行了电磁加固,在美军标和国军标静电条件 下进行了静电安全性研究,ＴＶＳ 二极管体现出了优 良的电磁防护能力 但是,在不串电阻更为严酷的 静电条件下,ＴＶＳ 二极管的安全性目前尚未见公开 报道 本文采用 ＴＶＳ 二极管进行静电加固ＥＳＤ,在 ５００ ｐＦ 电容、不串电阻条件下,采用 ＴＶＳ 二极管对 半导体桥火工品进行静电加固,对 ＳＣＢ 的静电安全 性进行研究 １ 试验样品 选取 ＳＭＢＪ１０ＣＡ 型号的 ＴＶＳ 二极管用于 ＳＣＢ 静电防护,该器件为贴片式结构,尺寸为 ２ ｍｍ ２ ｍｍ ０. ３ ｍｍ,峰值功率为 ６００ Ｗ,漏电流小于 ５ μＡ,击穿电压 １１ Ｖ 左右,外观如图 １ 所示 具有响 应快纳秒级、体积小、承载能力强等优良特性 本文利用 ＴＶＳ 二极管 的这些特性对 ＳＣＢ 进 行静电安全性试验 将 ＴＶＳ 二极管与 ＳＣＢ 通 过导线连接,当静电电 压高于器件的击穿电压 时,ＴＶＳ 二极管会瞬间 响应,由高阻值断路状 态转为低阻值静电泄放 通道,瞬间分走大量静 电能力,对 ＳＣＢ 起到很 好的防护作用 典型半 导体桥尺寸为 １００ μｍ ４００ μｍ ２ μｍ,电阻约为 １. ０ Ω,全发火能量约为 ５ ｍＪ 将斯蒂芬酸铅ＬＴ- ＮＲ涂覆在半导体桥芯片上,制成 ＳＣＢ 火工品样 品 将 ＴＶＳ 二极管通过导线外接在 ＳＣＢ 脚线端,如 图 ２ 所示 ２ 试 验原理及装置 试验在５００ ｐＦ、不串电阻条件下进行,静电放电 对 ＳＣＢ 的作用过程可以看成简单的 Ｒ-Ｃ 电路,试验 原理如图 ３ 所示 图 ３ 中 Ｃ 为储能电容,设定充电 电压,开关转向 ａ 时进行充电,开关转向 ｂ 时对 ＳＣＢ 进行放电 试验所选用的仪器为ＪＧＹ-５０Ⅲ静电感度测 试仪、储能电容、防爆箱等所用药剂为ＬＴＮＲ,采用 脚脚静电加载方式 .２６. 爆 破 器 材 Ｅｘｐｌｏｓｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ 第 ４５ 卷第 ３ 期 ❋ 收稿日期２０１５-０９-２５ 作者简介左成林１９８９ － ,男,硕士研究生,主要从事半导体桥点火研究 Ｅ-ｍａｉｌｚｕｏｃｈｅｎｇｌｉｎ８６＠ ｓｉｎａ. ｃｏｍ 通信作者周彬１９７１ － ,女,博士,副研究员,主要从事半导体桥火工品研究 Ｅ-ｍａｉｌｚｈｏｕｂｉｎ８２６６＠ ｓｉｎａ. ｃｏｍ 图 ２ 试验用外接 ＴＶＳ 的 ＳＣＢ 外观图 Ｆｉｇ. ２ Ａｐｐｅａｒａｎｃｅ ｏｆ ＳＣＢ ｗｉｔｈ ｅｘｔｅｒｎａｌ ＴＶＳ ｄｉｏｄｅｓ ｕｓｅｄ ｉｎ ｔｅｓｔ 图 ３ 静电试验原理图 Ｆｉｇ. ３ Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ ｏｆ ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｔｅｓｔ ３ 试验结果与讨论 ３. １ 静电试验结果 对未防护的典型 ＳＣＢ 在不同静电电压下进行 试验,得到试验结果如表 １ 所示 表 １ ５００ ｐＦ 下典型 ＳＣＢ 静电试验结果 Ｔａｂ. １ ５００ ｐＦ ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｔｅｓｔ ｒｅｓｕｌｔｓ ｏｆ ｔｙｐｉｃａｌ ＳＣＢ 电压/ ｋＶ静电能量/ ｍＪ样品数量发火数量 ５６. ２５８０ ６９. ００８０ ７１２. ２５８４ ８１６. ００８８ 试验结果表明,在 ５００ ｐＦ、不串电阻条件下, ＳＣＢ 火工品在 ６ ｋＶ 条件下均未发火,在 ７ ｋＶ 条件 下有 ４ 发发火,在 ８ ｋＶ 条件下全部发火 可以发 现,ＳＣＢ 本身具有一定的抗静电能力,临界不发火电 压为 ６ ｋＶ,全发火电压为 ８ ｋＶ 为了提高 ＳＣＢ 静电安全性,通过 ＴＶＳ 二极管进 行加固,所得试验结果如表 ２ 所示 表 ２ 试验结果表明,在 ５００ ｐＦ、不串电阻条件 下,ＴＶＳ 加固后 ＳＣＢ 分别在７、８、９ ｋＶ 下８ 发样品均 未发火,分别在 １０、１１、１２ ｋＶ 下 ３ 发样品均有 １ 发 样品发火,在 １３ ｋＶ 下 ３ 发样品均发火 对比表 １ 数据,在 ５００ ｐＦ、不串电阻条件下,ＴＶＳ 二极管将 ＳＣＢ 火工品不发火电压由 ６ｋＶ 提高到 ９ ｋＶ,不发火 静电能量由９. ００ ｍＪ提高到２０. ２５ ｍＪ,全发火电压由 ８ ｋＶ提高到１３ ｋＶ,全发火静电能量由１６. ００ ｍＪ提 表 ２ ５００ ｐＦ 下 ＴＶＳ 防护后的典型 ＳＣＢ 静电试验结果 Ｔａｂ. ２ ５００ ｐＦ ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｔｅｓｔ ｒｅｓｕｌｔｓ ｏｆ ｔｙｐｉｃａｌ ＳＣＢ ｗｉｔｈ ＴＶＳ ｄｉｏｄｅｓ 电压/ ｋＶ静电能量/ ｍＪ样品数量发火数量 ７１２. ２５８０ ８１６. ００８０ ９２０. ２５８０ １０２５. ００３１ １１３０. ２０３１ １２３６. ００３１ １３４２. ２５３３ 高到 ４２. ２５ ｍＪ,显著提高了 ＳＣＢ 的抗静电能力 ＴＶＳ 二极管具有瞬态抑制特性,具有优良的电 压钳制功能,利用此特性对 ＳＣＢ 进行静电防护 当 ＳＣＢ 火工品受到静电脉冲时,ＴＶＳ 二极管瞬间响应, 由高阻值断路状态转为毫欧级低阻值静电泄放通 道,泄放大量静电能量,有效地保护 ＳＣＢ 火工品 在不串电阻条件下,静电电压和静电能量相比于国 军标和美军标条件下要高出许多,ＴＶＳ 的静电防护 能力会受到一定限制 ３. ２ 静电对 ＳＣＢ 电爆性能的影响 在对 ＳＣＢ 火工品进行防护设计时要考虑到防 护措施对 ＳＣＢ 发火性能无影响,因此,需要对防护 后的电爆性能进行测试 ＳＣＢ 火工品经过静电作用 后的性能是否发生改变也是考核静电防护措施是否 有效的方法,因此,也需要对静电作用后的 ＳＣＢ 火 工品的电爆性能进行测试 试验仪器高速恒流起爆电源,高速数字存储示 波器 试验条件电流 ５ Ａ,脉冲持续时间 １０ ｍｓ 将获得数据进行分析处理,得到 ３ 种样品的爆发时 间,结果如表 ３ 所示 表 ３ 恒流发火试验结果 Ｔａｂ. ３ Ｉｇｎｉｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ ｕｎｄｅｒ ｃｏｎｓｔａｎｔ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ 样品类型样本量 发火时间 均值/ μｓ 标准 偏差 ＳＣＢ５７０. ２６. ５０ ＳＣＢ ＋ ＴＶＳ５８１. ４１３. ３２ ＥＳＤ 后 ＳＣＢ ＋ ＴＶＳ５８３. １１１. ８５ 将 ３ 种火工品恒流发火时间进行 ｔ 检验,比较 ３ 种火工品的发火时间是否具有显著性差异,所得结 果见表 ４ 水平 α ＝０. ０５,样本量 ｎ１＝５、ｎ２＝５,查 ｔ 检验分布表可得 ｔ１-α/２{ｎ１＋ ｎ２－２ ＝８} ＝２. ３０６ 综合表 ３ 和表 ４ 结果,并联 ＴＶＳ 二极管后,ＳＣＢ .３６.２０１６ 年 ６ 月 ＴＶＳ 二极管用于半导体桥静电安全性研究 左成林,等 表 ４ 发火时间的 ｔ 检验结果 Ｔａｂ. ４ ｔ-ｔｅｓｔ ｒｅｓｕｌｔｓ ｏｆ ｉｇｎｉｔｉｏｎ ｔｉｍｅ 类型ｔ 检验值 ＳＣＢ 与 ＳＣＢ ＋ ＴＶＳ１. ６９０ ２. ３０６ ＳＣＢ ＋ ＴＶＳ 与 ＥＳＤ 后 ＳＣＢ ＋ ＴＶＳ０. ２１３ ２. ３０６ 火工品的发火时间均值略有增大,ｔ 检验结果无显 著影响；对比静电加固前、后并联 ＴＶＳ 的 ＳＣＢ 火工 品的发火时间、ｔ 检验结果无显著性影响 ＴＶＳ 二极 管在击穿前处于高阻值断路状态,与 ＳＣＢ 并联不会 影响其正常发火性能；ＴＶＳ 加固的 ＳＣＢ 在经受 ９ ｋＶ 静电作用后均未发火,其发火时间无显著性变化 ４ 结论 本文利用 ＴＶＳ 二极管的抗浪涌特性对 ＳＣＢ 火 工品进行静电加固,在５００ ｐＦ、不串电阻静电条件下 研究其加固效果,得到以下结论 １５ Ａ 恒流发火试验结果表明,并联 ＴＶＳ 二极 管对 ＳＣＢ 的发火时间无显著性影响 ２５００ ｐＦ、不串电阻条件下,ＳＣＢ 火工品临界不 发火电压为 ６ ｋＶ,不发火静电能量为 ９ ｍＪ；全发火 电压为８ ｋＶ,全发火静电能量为１６ ｍＪ,表明 ＳＣＢ 自 身具有一定的抗静电能力 ３５００ ｐＦ、不串电阻条件下,ＴＶＳ 二极管将 ＳＣＢ 火工品不发火电压由 ６ ｋＶ 提高到 ９ ｋＶ,不发火静 电能量由 ９. ００ ｍＪ 提高到 ２０. ２５ ｍＪ；全发火电压由 ８ｋＶ 提高到 １３ ｋＶ,全发火静电能量由 １６. ００ ｍＪ 提 高到 ４２. ２５ ｍＪ,显著提高了 ＳＣＢ 的抗静电能力 ４对 ９ ｋＶ 静电防护后的 ＳＣＢ 进行 ５ Ａ 恒流发 火试验,发火时间无显著性变化 因此,ＴＶＳ 作为 ＳＣＢ 火工品静电加固的一种方 式,能够显著提高 ＳＣＢ 静电安全性 参 考 文 献 [１] ＢＩＣＫＥＳ Ｒ Ｗ,ＧＲＵＢＥＬＩＣＨ Ｍ Ｃ,ＨＡＭＩＳ Ｊ Ａ,ｅｔ ａｌ. Ａｎ ｏｖｅｒｖｉｅｗ ｏｆ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｂｒｉｄｇｅ, ＳＣＢ, ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ａｔ Ｓａｎｄｉａ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ[Ｃ] / /３１ｓｔ Ｊｏｉｎｔ Ｐｒｏｐｕｌｓｉｏｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｘｈｉｂｉｔ. Ｓａｎ Ｄｉｅｇｏ,ＣＡ,ＵＳ,１９９５２５４９. [２] 叶迎华. 火工品技术[Ｍ]. 北京北京理工大学出版 社,２００７. [３] ＮＯＶＯＴＮＥＹ Ｄ Ｂ, ＷＥＬＣＨ Ｂ Ｍ, ＥＷＩＣＫ Ｄ Ｗ. Ｓｅｍｉ- ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｂｒｉｄｇｅ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｆｏｒ ｅｎｈａｎｃｅｄ ＥＳＤ ａｎｄ ＲＦ ｉｍｍｕｎｉｔｙ [ Ｃ] / /３５ｔｈ Ｊｏｉｎｔ Ｐｒｏｐｕｌｓｉｏｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｘｈｉｂｉｔ. Ｌｏｓ Ａｎｇｅｌｅｓ,ＣＡ,ＵＳＡ,１９９９２４１７. [４] 赵文虎. 某导弹用电点火具抗静电技术研究[Ｊ]. 火工 品,２００ｌ３２４-２７. ＺＨＡＯ Ｗ Ｈ. Ａｎｔｉｓｔａｔｉｃ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｓｔｕｄｙ ｏｎ ａｎ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｉｇｎｉｔｅｒ ｗｈｉｃｈ ｕｓｅｄ ａ ｍｉｓｓｉｌｅ[Ｊ]. Ｉｎｉｔｉａｔｏｒｓ ＆ Ｐｙｒｏｔｅｃｈ- ｎｉｃｓ, ２００ｌ３２４-２７. [５] 马辉,魏光辉,张龙. 绝缘垫在火箭弹静电防护中的作 用[Ｊ]. 北京理工大学学报,２００５,２５增刊９６-９８. ＭＡ Ｈ, ＷＥＩ Ｇ Ｈ, ＺＨＡＮＧ Ｌ. Ｆｕｎｃｔｉｏｎ ｓｔｕｄｙ ｏｆ ｉｎｓｕｌａ- ｔｅｄ ｃｕｓｈｉｏｎ ｏｆ ｒｏｃｋｅｔ ｐｒｏｊｅｃｔｉｌｅ ｏｎ ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ ｆｒｏｍ ＥＳＤ [Ｊ]. Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｆ Ｂｅｉｊｉｎｇ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ, ２００５,２５Ｓｕｐｐｌ. ９６-９８. [６] ＫＩＮＧ Ｔ Ｌ, ＴＡＲＢＥＬＬ Ｗ Ｗ. Ｐｉｎ-ｔｏ-ｐｉｎ ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｄｉｓｃｈａｒｇｅｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎｆｏｒｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｂｒｉｄｇｅｓ ＳＡＮＤ２００２-２２１３[Ｒ]. ２００２. [７] 陈飞, 周彬, 秦志春,等. 半导体桥火工品的防静电和 防射频技术[Ｊ]. 爆破器材, ２０１０,３９３ ２８-３２. ＣＨＥＮ Ｆ, ＺＨＯＵ Ｂ, ＱＩＮ Ｚ Ｃ,ｅｔ ａｌ, Ａｎｔｉ-ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ａｎｄ ａｎｔｉ-ＲＦ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｂｒｉｄｇｅ ｅｘｐｌｏｓｉｖｅ ｄｅｖｉｃｅｓ[Ｊ]. Ｅｘｐｌｏｓｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ, ２０１０,３９３ ２８-３２. [８] 周彬, 王林狮, 秦志春,等. 一种半导体桥火工品抗静 电技术[Ｊ]. 火工品, ２０１０２ ５-７. ＺＨＯＵ Ｂ, ＷＡＮＧ Ｌ Ｓ, ＱＩＮ Ｚ Ｃ, ｅｔ ａｌ. Ａ Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ａｎｔｉ- ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ ｆｏｒ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｂｒｉｄｇｅ ｉｎｉｔｉａｔｏｒｓ [Ｊ]. Ｉｎｉｔｉａｔｏｒｓ ＆ Ｐｙｒｏｔｅｃｈｎｉｃｓ, ２０１０２ ５-７. [９] 任钢. 半导体桥火工品电磁兼容技术研究[Ｄ]. 南京 南京理工大学, ２０１２. ＲＥＮ Ｇ.Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｎ ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｓｍ ｃｏｍｐａｔｉｂｌｅ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｂｒｉｄｇｅ ｉｎｉｔｉａｔｏｒｓ[Ｄ]. Ｎａｎ- ｊｉｎｇＮａｎｊｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ ＆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ,２０１２. Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｓａｆｅｔｙ ｏｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｂｒｉｄｇｅ ｗｉｔｈ Ｅｘｔｅｒｎａｌ ＴＶＳ Ｄｉｏｄｅｓ ＺＵＯ Ｃｈｅｎｇｌｉｎ, ＺＨＯＵ Ｂｉｎ, ＤＵ Ｗｅｉｑｉａｎｇ Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ, Ｎａｎｊｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｊｉａｎｇｓｕ Ｎａｎｊｉｎｇ, ２１００９４ [ＡＢＳＴＲＡＣＴ] Ｉｎ ｏｒｄｅｒ ｅｎｈａｎｃｅ ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｓａｆｅｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｂｒｉｄｇｅ ＳＣＢ, ｔｗｏ ｋｉｎｄｓ ｏｆ ＳＣＢ,ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ ＳＣＢ ａｎｄ ＳＣＢ ｗｉｔｈ ｅｘｔｅｒｎａｌ ＴＶＳ ｄｉｏｄｅｓ, ｗｅｒｅ ｔｅｓｔｅｄ ｉｎ ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ ｂｅｃａｕｓｅ ｏｆ ｔｈｅ ｓｕｒｇｅ ｈａｎｄｌｉｎｇ ｃａｐａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ ＴＶＳ ｄｉｏｄｅｓ. Ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔｓ ｓｈｏｗ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｉｇｎｉｔｉｏｎ ｔｉｍｅ ｏｆ ＳＣＢ ｐａｒａｌｌｅｌｉｎｇ ＴＶＳ ｄｉｏｄｅｓ ｈａｓ ｎｏ ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ ｃｈａｎｇｅｓ. Ｏｎ ｔｈｅ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ ｏｆ ５００ ｐＦ ｗｉｔｈｏｕｔ ｓｅｒｉｅｓ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ,ＳＣＢ ｄｏｅｓ ｎｏｔ ｆｉｎｅ ａｔ ６ ｋＶ ａｎｄ ｆｕｌｌ ｆｉｎｅ ａｔ ８ ｋＶ, ｗｈｉｌｅ ＳＣＢ ｐａｒａｌｌｅｌｉｎｇ ＴＶＳ ｄｉｏｄｅｓ ｄｏｅｓ ｎｏｔ ｆｉｎｅ ａｔ ９ ｋＶ ａｎｄ ｆｕｌｌ ｆｉｎｅ ａｔ １３ ｋＶ. Ｉｇｎｉｔｉｏｎ ｔｉｍｅ ｏｆ ＳＣＢ ｗｉｔｈ ＴＶＳ ｄｉｏｄｅｓ ｈａｓ ｎｏ ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ ｃｈａｎｇｅｓ ａｆｔｅｒ ９ ｋＶ ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ. Ｉｔ’ｓ ｃｏｎｃｌｕｄｅｄ ｔｈａｔ ＴＶＳ ｄｉｏｄｅｓ ｈａｖｅ ｎｏ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｎ ｎｏｒｍａｌ ｉｇｎｉｔｉｏｎ ｐｅｒｆｏｒ- ｍａｎｃｅ ｏｆ ＳＣＢ, ａｎｄ ｃａｎ ｉｍｐｒｏｖｅ ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｓａｆｅｔｙ ｏｆ ＳＣＢ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅｌｙ. [ＫＥＹ ＷＯＲＤＳ] ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｂｒｉｄｇｅｓ； ＴＶＳ ｄｉｏｄｅｓ； ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｓａｆｅｔｙ .４６. 爆 破 器 材 Ｅｘｐｌｏｓｉｖｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ 第 ４５ 卷第 ３ 期