2_1_4双极型半导体三极的特性曲线.PPT

2.1.4双极型半导体三极管的特性曲线,这里，B表示输入电极，C表示输出电极，E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。iB是输入电流，vBE是输入电压，加在B、E两电极之间。iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E两电极取出。,,,输入特性曲线iBfvBEvCEconst输出特性曲线iCfvCEiBconst,本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线，即,共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图02.04所示。,,图02.04共发射极接法的电压-电流关系,简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。为了排除vCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使vCEconst常数。,,1输入特性曲线,vCE的影响，可以用三极管的内部反馈作用解释，即vCE对iB的影响。,共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其中vCE0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当vCE≥1V时，vCBvCE-vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少，IC/IB增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。输入特性曲线的分区①死区②非线性区③线性区图02.05共射接法输入特性曲线,,2输出特性曲线,共发射极接法的输出特性曲线如图02.06所示，它是以iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明，当vCE0V时，因集电极无收集作用，iC0。当vCE稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小，如vCE1VvBE0.7VvCBvCE-vBE0.7V集电区收集电子的能力很弱，iC主要由vCE决定。图02.06共发射极接法输出特性曲线,,当vCE增加到使集电结反偏电压较大时，如vCE≥1VvBE≥0.7V运动到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，此后vCE再增加，电流也没有明显的增加，特性曲线进入与vCE轴基本平行的区域这与输入特性曲线随vCE增大而右移的图02.06共发射极接法输出特性曲线原因是一致的。（动画2-2）,,输出特性曲线可以分为三个区域,,,,饱和区iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的数值较小，一般vCE＜0.7V硅管。此时发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。,截止区iC接近零的区域，相当iB0的曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。,放大区iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏，电压大于0.7V左右硅管。,