辉铜矿和铜蓝的浸出机理研究.pdf

辉铜矿和铜蓝的浸出机理研究 路殿坤， 蒋开喜“， 王春“， 刘大星“ （ “东北大学， 沈阳 ； “北京矿冶研究总院， 北京 F E ; F C B ; D F 3 3 3 D 3 F G H C “ 5 6; I ; 3 F A 1 C 2 L 2 A 和溶液的氧化还原偶之间就会发生电子或空穴的转 移。达到平衡时， 则固体内和溶液中电子的化学位 是相同的。对于描述半导体的电化学性质来说， 费 米能级是一个重要的参数， 它代表半导体内电子的 化学位。 在半导体矿物的氧化中， 对M型半导体来说， 由于开始时半导体的费米能级要高于溶液中氧化还 原偶的能级， 因此其导带电子移向固液界面， 使溶液 中的氧化还原偶的氧化态发生还原， 这就使得半导 体内部荷正电， 而与溶液相邻处荷负电。固体内所 获得的过剩正电荷分布于半导体内很薄的一个空间 电荷层内。该层与液相的扩散层类似， 空间电荷层 内电荷的分布导致层内电场的形成。达到平衡时， 电位梯度阻碍电子继续流向溶液， 而使其反向流动 越来越容易。在能级图上， 相对于半导体内部深处 而言， 该电场使导带及价带的边缘向上弯曲。 （） M型半导体； （E） I 型半导体 图半导体与具有氧化还原偶的水溶液界面 （） M 8 ; K 6 7 C 7 0 2 9 5 3 ，, 4 5 6 2 7 8 6 7 5 2 7 ; ，1 2 7 ; ， 4 3，1 2 ） 0 * - 1 - E 5 - 3 5 1 F / 8 8 / 4 1 3 4 / 0 3 / 3J . 8 1 2 / 3 . 0 / - 8 1 CP . 0 G 3 - 0 3 0 1 - 4 4 Q 2 . 8 - 0 3 / 4 3 5 1 G 0 3 7 F 4 / 3 8 4 3 . 0 78 / ，H 2 3 0 4 6 3 5 . 0 / 3 . 0 7 4 6 F . 4 - 0 3 / 0H 8 1 2 / 1， 0 1 3 5 . 3 5 0 G . 0 - 0 3 8 4 4 2 3 . 0 8 H 4 - CE 5 . 0 3 F / . 4 / - H . 0 3 . 0 3 0 7 3 5 F 5 3 / 8 8 8 4 3 . 0 7 8 1 2 / 3 . 5 . 7 5 0 1 3 5 . 0 4 . - . 3 3 . 0 3 3 5 J . 4 0 7 3 5，H 2 3 3 5 H . 7 Q 2 . 8 - 0 3 / 4 ，3 / 5 0 . / 4 1 . F F . / 2 4 3 . ， 0 1 4 J8 1 2 / 3 . G . 3 6 3 5 1 . 1 G 0 3 7 F 3 5 5 3 / 8 8 8 4 3 . 0 7 3 / 5 0 4 7 6 E 5 / 0 3 . 0 2 2 4 6 K 3 2 1 . 0 7 0 1 / 4 1 1 . 0 7 . . 1 4 3 / 5 0 4 7 6，. 3 5 3 5 1 G 0 3 7 F 3 5 4 J. 0 G 3 - 0 3 0 1 / 3，5 . 7 58 1 2 / 3 . 0 F F . / . 0 / 6 0 18 1 2 / 3 Q 2 4 . 3 6 C 2 “ 34 1 . * 4 / 3 . F . 1 . 4 J 6；/ 8 8 / 4 1 3 4；/ 0 3 / 3J . ； MA 第A期路殿坤等 辉铜矿和铜蓝的浸出机理研究 万方数据