一种测量真空开关灭弧室真空度的新方法.pdf
第 2 6卷 第 l 6期 2 0 0 6年 8月 中 国 电机工程学报 P r o c e e d i n g s o f t h e CS E E Vo1 . 26 No. 1 6 Aug .2 0 06 02 0 0 6 Ch i n . S o c .f o r E l e c . En g 文章编号0 2 5 8 8 0 1 3 2 0 0 6 1 6 0 1 4 4 0 6 中图分类号T M5 6 1 . 2 文献标识码A 学科分类号4 7 0 . 4 0 一 种测量真空开关灭弧室真空度的新方法 赵子玉 ,宋焕生2 ,江秀臣 ,马乃祥 ,罗利文 ,季严松 ,李 曼 1 .上海交通大学电气系,上海市 徐汇区 2 0 0 0 3 0 ;2 . 长安大学信息学院,陕西省 西安市 7 1 0 0 6 4 S t u d y o n Ne w M e t h o d f o r M e a s u r e m e n t o f I n t e r n a l P r e s s u r e o f Va c u u m I n t e r r u p t e r s ZHAO Zi . y u ,S ONG Hu a n . s h e n g 2 ,J I ANG Xi u. c h e n , M A Na i . x i a n g , LUO Li . we n , J I Ya n. s o n g , LI M a n 1 . S h a n g h a i J i a o t o n g U n i v e r s i t y , X u h u i D i s t r i c t , S h a n g h a i 2 0 0 0 3 0 , C h i n a ; 2 . Ch a n g ’ a n Un i v e r s i t y , Xi ’ a n 7 1 0 0 6 4 , S h a a n x i P r o v i n c e , Ch i n a ABS TRAC’I ’ A n e w me t h o d i S p r e s e n t e d for me a s u r e me n t o f i n t e r n a l p r e s s u r e o f v a c u u m i n t e r r u p t e r s ,h a v i n g n o u s e o f ma g n e ti c fi e l d s b u t u s i n g d e c a y v e l o c i t y o f e mi s s i o n c u r r e n t . F i r s t l y , 5 0 0 g A e mi s s i o n c u rre n t i s u s e d t o b o mb a r d t h e s u r f a c e o f c o n t a c t s ,wh i c h r e mo v e s u p e r f l u o u s a b s o r b e d l a y e r s o f mo l e c u l e s f r o m c o n t a c t s s u r f a c e s 、S e c o n d l y ,3 5 g A e mi s s i o n c u rre n t i s u s e d t o i o n i z e t h e r e s i d u a l g a s i n t h e s p a c e b e t we e n c o n t a c t s , wh i c h y i e l d s i o n c u rre n t . S t r i k i n g s u r f a c e s o f c o n t a c t s t h e i o n c u rre n t i s c a p t u r e d a n d b e c o me s n e w a b s o r b e d l a y e r s o f mo l e c u l e s ,wh i c h e n l a r g e s t h e wo r k f u n c t i o n o f c o n t a c t s ma t e ri a l a n d d e c r e a s e s t h e e mi s s i o n c u rre n t . Th e d e c a y v e l o c i t y o f e mi s s i o n c u rre n t i s v a rie d wi t h i n t e rna l p r e s s u r e o f v a c u u m i n t e rru p t e r s .S o wi t h c e r t a i n d e c a y q u a n t i t y , i n t e r n a l p r e s s u r e c a n b e d e t e r mi n e d b y me a s u ri n g d e c a y t i me o f e mi s s i o n c u rre n t . T h e r e l a t i o n s h i p o f i n t e rna l p r e s s u r e wi t h d e c a y t i me o f e mi s s i o n c u rre n t i s d e d u c e d i n t h e o r y a n d v a l i d a t e d b y e x p e r i me n t . KEY W ORDS v a c u u m i n t e r r u p t e r s ; i n t e rna l p r e s s u r e ; e mj s s j o n c u rre n t 摘要 提出了一种无需施加磁场、 利用发射电流衰减速度测 量真空开关灭弧室真空度的新方法。首先利用 5 0 0 g A发射 电流对触头表面轰击,除去触头表面上多余的分子吸附层。 然后利用 3 5 g A 发射 电流与触头间残余气体分子的碰撞电 离,形成离子流。离子流又撞击触头表面,被表面捕获,形 成新增吸附层。 这些新增吸附层的存在会增大触头材料逸出 功,导致发射电流的衰减。真空度不同,发射电流的衰减速 度就不同,故在发射电流衰减量一定的条件下, 通过检测发 射电流衰减时间就可以测量灭弧室内的真空度。 文中通过理 论分析, 给出了发射电流衰减时间与真空度的关系并进行了 实验验证 。 基金项 目国家 自然科学基金项目 5 0 3 7 7 0 2 4 。 P r o j e c t S u p p o S e d b y Na t i o n a l Na t u r a l S c i e n c e F o u n d a t i o n o f C h i n a 5 0 3 7 7 0 2 4 . 关键词真空灭弧室;真空度;发射电流 0 引言 真空开关在中压领域 6 k V、1 0 k V、3 5 k V 的应 用 已有 3 0年 的历史 ,真空灭弧室做为真空开关中 的一个 主要 部件 ,对 其研 究 主要 集 中在优 化 电 场 [ 1 - 3 ] 以提高击穿电压 ,改善磁场I 4 . / _ 以提高大电流 开断能力上 。实际上,真空度的降低也将影响真空 开关的击穿电压与电流开断能力。现在注意到随 着开关服役时间的延长,供用 电部 门开始担心真空 灭弧室的真空度状况 ,需要一种简单、准确 、具有 较 高分辨力 的测试仪器来检测服役 中的灭弧室的 真空度 ] 。真空灭弧室真空度 的测试方法主要有工 频耐压法及磁控放电法。工频耐压法只能测 出严重 漏 气 的灭弧 室 ,而对 处 于半 真 空状 态 的灭弧 室 0 . 1 l P a ,虽然击穿电压没有降低 ,但真空管 已不 能开断额定的短路电流 一般来说 , 真空管内压强的 出厂标准为小于 1 0 - 3 p a ,对于使用 中的真空管 ,其 标准可放宽到 1 0 ~ P a 。目 前, 定量测量真空开关灭 弧 室真空度较好 的方法是在灭弧室外 围加上磁场 线 圈的磁控放电法。但这种测试方法有 以下 2方面 的缺点 1 需要使用磁场线圈。由于真空开关的型 号多种多样 ,有些真空开关真空灭弧室的外 围无障 碍空间很小 ,磁场线圈难以靠近 ,特别是对于新型 的灭弧室绝缘全封闭型真空开关,磁场线圈无法靠 近 ,磁控放 电法 已无法应用。 2 磁控放 电法测量真空度的原理是利用正 交的电场与磁场,增加 电子的行程及与残留气体分 子的碰撞几率 ,导致气体 电离放 电,测量放 电的离 子 电流获得真空度 。放电电流的分散性较大,且放 维普资讯 第 1 6期 赵子玉等 一种测量真空开关灭弧室真空度的新方法 1 4 5 电后有抽气或放气作用,使密 闭容器的真空度发生 变化,故短期内不能重复测量 。 鉴于 以上原 因,有必要探 寻一种无需施加磁 场、高灵敏度 的真空开关真空度测量方法 。目前 , 在这方面已经做 了许多研究,提出的主要测量方法 有 弧后发射电流法[ 9 】 、高频预击穿电流法_ l Ⅲ 、高 频 电流开断法[ 】 、电弧 电压法[ 】 、场致发射电流 法[ 1 引 、粒子真空极化法[ 1 引 。比较这些不施加磁场的 真空度测量方法后发现 ,弧后 发射电流法 的真空度 测量精度较高、测量范围较大 ,但是,弧后发射电 流法需要利用几 百安的真空电弧清除触头表 面原 有的吸附层,获取一吸附量为零的清洁表面,故这 种测量方法很难实用化 。本文提 出了一种新的真空 度测量方法发射电流衰减法, 它是利用 5 0 0 g A 的发射电流轰击触头表面, 清除触头表面新增 的吸 附层 ,获得吸附量为o } 的表面 。该方法 的测量机 理与文献[ 9 ] 提 出的弧后发射 电流法 的测量机理不 一 样 。弧后发射 电流法是利用残余气体分子与清 洁触头表面的碰撞 来沉积吸附量,发射电流衰 减 法则是利用离子流与触头表面的碰撞来增加吸附 量。故在同等真空度下,使用发射电流衰减法测 出的发射 电流衰减时间 比使用弧后发射 电流法要 大 2个数量级。实验研究表明,本文提出的发射 电流衰减法 的测量精度 、范 围、数据重复性都 比 较好 ,使用该方法有望开发 出实用化 的真空开关 真空度测量仪 。 1 测量原理 1 . 1 原理简介 在真空间隙上施加一定的工频电压后 ,间隙之 间会流过场致发射电流 . , . 对分子吸附量 2 方 面的作用其一为离子捕集作用,即场致发射 电流 . 中的电子与残余气体分子发生碰撞,产生离子, 离子在电场作用下移动形成离子流,离子流撞击触 头表面,被表面捕获,导致吸附量由o b 增加到 ; 其二为电子轰击脱附作用,即场致发射电流中的电 子轰击触头表面,吸附分子被电子激发或分解而脱 附, 导致吸附量由 减少到o b 。 本文实验研究表明, 当. 较大 5 0 0 g A左右 时电子轰击脱附起主导作用; 当 . 较d 3 5 左右 时离子捕集起主导作用。 本文利用吸附量的变化测量真空度 。首先使用 较大的 . ,利用其产生的电子轰击脱附作用 ,使吸 附量 由 减少到o b ,然后再使用较小的 . ,利用其 产生的离子捕集作用,使吸附量由o b 增加到 。吸 附量 的增加将导致触头材料功函数的增加,功函数 的增加又引起场致发射电流 . 的衰减 ,真空压强 P 不同,发射 电流的衰减速度 A j J A t ,其中, 为 衰减量, 为衰减时间 就不 同,故在 一定时, 通过检测发射电流 的衰减时间△ t就可以测量灭弧 室内的真空度 。 1 .2 吸附量 极间电场 E之间的关系 经 典的福 勒. 诺尔海姆 F o w l e r - No r d h e i m 场致 发射 电流公式 j e ] SA 2 e x p 一 1 式中 为发射电流 , 为发射面积 ; ,为极 间电场; 为极间电压; d为极间距离; 肋 电场增 强系数 ;础 触头材料逸 出功函数;A、B基本上可 认为是常数 。 表面单位面积吸附量 与逸 出功 函数 之 间有 简单的线性关系[ 1 妒C 2 式中础 表面有吸附分子时的功函数, 为干净 表面 0 的初始功函数,C为常数 。 将式 2 代入式 1 ,得 J e E 2 e x p [ 一 B C o “ 0 3 / 2 ] 3 由式 3 可见,保持 脚1 不变,随着吸附量 的线性增长,发射 电流 . 将 以指数形式衰减。若在 吸附量 线性增长的同时增加极间电场 , 就可 以维持 为一较小的固定值 ,此时,将式 3 整理为 C k l 4 其中 [ l n 旦 】 z , , 可近似看做常数。 故 / 5 e 由式 4 可见,极间电场 E 随时间的变化情况就 反映了吸附量椭 时间的变化情况 。 1 . 3 发射电流的衰减时间△ f 与真空压强 P之间的 关系 电子在气体 中的平均 自由程 为_ l 5 J 5 丁 L £ ‘ P 式中D 为分子直径 ;k为波耳兹曼常数; 为温 度 ;P为压强。 通过分析一个电子在加速场中的碰撞规律,可 知一个电子与分子在真空间隙0 之间的碰撞概率 a | o 在 出时间内,触头表面发射出的电子数 Ⅳ 0 为 维普资讯 1 4 6 中国 电机工程学报 第 2 6卷 No J e / e d t 6 将式 1 2 分离变量 ,对吸附量 由0 b 到 对应的 式中e 为电子电荷; . 为场致发射电流 。 在真空间隙 O 之 间的分子遭遇 电子碰撞时, 会以几率g引起分子电离。真空度越高,电子的平 均 自由程 就越大,电子在电场中获得的能量就越 多,分子与电子碰撞时电离几率也就越大, 用公式 表达为 gg o P 7 式中g 0 ,a为常数,0 a l 。 Ⅳ 0 个 电子总的碰撞次数为 Ⅳ 0 ,电离出的 离子数为 g . Ⅳ 0 ,这些离子在 电场作用下向触 头漂移形成离子流, 离子流又撞击触头表面后以几 率 S 被触头表面捕获。故在 d f 时间内,触头表面捕 获的离子数量 d d Gs g d / 4 N o 8 将式 5 、式 6 、式 7 代入式 8 ,可得由于离子捕 集而引起的分子吸附速度 d GI d t q P d i e 9 式中 q g 0 / 4 k T e 为一常数 。 触头表面吸附层 由于 电子轰击 引起 的分 子脱 附速度 d GI d t Q O j e 1 O 式中 Q为一常数。 同理,离子流轰击触头表面吸附层 时也将产生 溅射现象, 溅射出来的产物是表面吸附的气体分子 及 已中和的被捕获离子。设溅射率为 y ,由于离子 溅射引起的分子脱附速度 d G I d t q P d G L 1 1 式中 D Y q / s 为嘲 函数。 考虑触头表面的离子捕集、离子溅射与电子轰 击效果后,得总的分子吸附速度 d GI d t q P d i e Q J e 一q P d j e a 1 2 当式 1 2 中的 d o { d t -- 0 , 即分子吸附与脱附平衡 时,吸附量 P d q / P 幽 Q 1 3 由式 1 2 可知,当G 0时,吸附速度 大于脱附速度 ,此时, 将随时间而增长 ,而 增长将导致 的衰减。如果在 降低到零之前,吸 附量的增长使 于 ,此时,吸附速度将等于脱 附速度, 发射电流 将保持不变。 当 , d o C d t 0 时,吸附速度将小于脱附速度 ,鹕 随时间而减少, 而 减少将导致. 雪崩式地升高。 时刻是 t o 到 t 1 积分,得 m 1 4 因为在测量 时使用较小的发射 电流 ,其 电子轰 击 引起的分子脱 附作用可 以忽略, 令 a o , 由式 1 4 可得 A t P k 2 / d 1 5 式中P为真空压强,P a ;A t t l - t o 为发射电流衰减 时间, s ; 口 , 为常数 , O 口 1 , Ⅵ 、 1 , ,J d G ; d为极间距离 ,mm。 2 实验测量装置 将真空灭弧室与真空比对系统相连接,通过改 变真空比对系统的真空压强来改变灭弧室内的压 强,从而获得真空灭弧室内 1 0 1 0 - S P a的真空度。 如 图 1 所示,真空比对系统由真空灭弧室、真 空池、机械泵 、分子泵、进气调节阀、N2 气瓶和副 标真空计组成。 动态真空的获取过程为 由机械泵、 分子泵依次连续对真空池抽真空 ,其极限真空度可 达 1 O P a 。使用 N 2 气瓶通过进气调节阀对真空池 放气来 降低真空度,当进气量与抽气量相平衡时, 真空池的压强就停留在某一稳定值 P 0 上, 因为灭弧 室通过管道与真空池相连 ,可 以认为灭弧室的压强 也是该稳定值 。 本研究中使用了 0 . 8 mm 的真空间隙。 在真空间 隙上施加一定的工频电压 ,补偿掉触头间的容性电 流后,余下的主要是发射电流。发射电流的测量电 路如图 2所示其中 C 1 1 一 n c r 1 支路是容性电流 补偿电路,c 2 代表真空灭弧室,依据真空间隙大小 的不同,其 电容在 1 5 几十 p F之 间;r l r 2 l k 是 取样 电阻;R l i m 1 0 M是限流 电阻;R1 2 8 0 0 k fl 为保护 电阻,T VS 1 、T vS 2 为快速恢复二极管,是 用来保护示波器的。 灭弧 室 图 1 与真空灭弧室相连的真空比对系统 F i g . 1 V a c u u m t u b e j o i n e d t o v a c u u m s y s t e m 维普资讯 维普资讯 1 4 8 中国电机工程学报 第 2 6卷 从 3 5 开始逐渐衰减 。在 El 1 7 0 k V / c m后 , . 也 是从 3 5 A开始逐渐衰减,相应地吸附量逐渐逼近 。由图4可见,在逼近过程中有一小雪崩发生, 此后,再升高E . 1 8 0 k Wc m时,就有大雪崩发生, 使 . 瞬时增加到 9 0 A,随后逐渐衰减,这一过程 会循环发生。最后,使用较大 . 轰击脱附,除去覆 盖于触头表面的新增分子层,使吸附量减少到 , 然后再施加 电场 E. 1 1 0 k V / c m,触头 间仍然会有 3 5 的场致发射电流, 并随着时间的延长, 该3 5 又会衰减 。故利用发射 电流的指数衰减现象可重复 性地测量真空度。 图5 5 0 0 4 0 0 三 3 0 0 2 0 0 1 0 0 0 广 - - _ _ _ _ _ _ _ 一 ⋯ l E l I 一 I j 大 雪 崩大 雪 崩 ●● 二 \ 0 5 0 1 0 0 1 5 0 2 0 0 t / s 图 4 发射电流 、极间电场 E1 与时间t 之间的关系 F i g . 4 T h e r e l a t i o n s h i p o f e mi s s i o n c u r r e n t j e a n d e l e c t r i c a l fie l d s El o f v a c u u m g a p wi t h t i me t 应用 图 1 所示的真空比对系统改变灭弧室内的 真空 度 ,应用 图 2所示 的 电路测量 发射 电流 , d 0 .8 m m。实验过程为首先,在动态真空压强尸 n 下 ,通过瞬时增高电场强度除去分子吸附层,再降 低施加电压使发射 电流为 3 5 A有效值 ,然后测量 发射 电流从 3 5 A衰减到 1 3 A 的衰减时间A t 0 ,从 而获得了P ~ A t 曲线上的一标定点 尸 0 , h t o ;通过调 节进气量得另一稳定气压值 P . , 再除去吸附层, 然 后测量发射电流从 3 5 A有效值到 1 3 A 的衰减时 间△ f 。 得另一标定点 P 。 , △ f 。 。依此类推,就可获得 真空灭弧室 P ~ A t 曲线上的实验点,如图 5“ ▲”所 示。将 d O . 8 mm 和 2个实验点 1 O _ ‘P a ,1 0 s 、 1 0 - P a ,l O s 代入式 1 5 得a -- O .5 ,k 2 2 5 . 3 。 图 5可作为真空开关真空度测量仪器的动态 标定曲线。对于服役中的真空开关管,触头的表 面状况会发生一定变化 ,这种变化对本文提 出的 测量方法的精度有无 影响。若有影响 ,可否在 测 量前先使用传统方法 消除等 ,还需做 进一步的研 究工作。 真空开关的操作机构是多种多样的, 但是绝大 I 。\ ‘\ \ - 。\ ‘ _ 发射电流的衰减时间 与真空灭弧室真空度P的关系 F i g . 5 Th e r e l a t i o ns h i p o f i n t e r n a l p r e s s u r e wi t h d e c a y t i me o f e mi s s i o n c u r r e n t 多数的真空开关在闭合状态下, 两触头的压力和超 程是由一个压力弹簧提供的。在闭合状态下,若真 空开关的超程为 在不拆卸灭弧室、不改变机械 参数的条件下拉伸该压力弹簧fi O . 8 n l m就可以获 得 0 .8 n l m 的真空间隙。对于本实验中使用的 Z N 2 2 B . 1 2 / T 1 2 5 0 . 3 1 .5型户内高压真空断路器,只 要使用一把扳手旋动拉伸器 该拉伸器 由一个螺钉、 两个螺母、一个中间可穿过螺钉的盖板和两个垫块 组 合 而 成 1 上 的 螺 母 就 可 以 将 压 力 弹 簧 拉 伸 4 . 1 0 . 8 mm,从而获取 0 . 8 mm 的真空间隙。考虑 到小真空间隙的量测 比较困难 ,在实验中可利用吸 附量为0 b时发射 电流的起 始 电压 与起始 电场 E i 1 0k V/ mm 的比值进行估算 , 例如 若测得起始 电压 8 k V时,d O . 8 mm。 4结论 1 较小的 3 5 左右 发射电流可与气相分 子碰撞产生离子流, 离子流被触头表面捕获后形成 新增吸附层,这些新增吸附层增大 了触头材料的逸 出功,导致了发射 电流的衰减 。 2 利用较大的 5 0 0 A左右 发射电流的电子 轰击脱附作用 ,可 以除去覆盖于触头表面新增吸附 层 。 3 测量时,真空间隙取 0 . 5 1 . 0 F f U T I 为佳。 在 闭合状态下,若真空开关的超程为 在不拆卸灭 弧室、不改变机械参数的条件下拉伸触头压力弹簧 O . 5 1 .0 ram就可 以获取 0 . 5 1 . 0 mm的真空间隙 。 4 在发射 电流衰减量一定的条件下,发射 电流衰减时间△ f 与真空压强 尸 成反比,故通过检 测发射 电流衰减 时间就可 以测量灭弧室 内的真空 度。 维普资讯 第 l 6期 赵子玉等 一种测量真空开关灭弧室真空度的新方法 1 4 9 参考文献 [ 1 ] 赵智忠 ,邹积岩,文化宾,等.高压真空灭弧室的电场设计 的新 方法[ J 】 .中国电机工程学报,2 0 0 5 ,2 5 6 1 0 9 - 1 1 2 . 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An aly s i s o f e d d y c u r r e n t o n t h e i r o n c o r e s t y l e b i p o l o r a x i al ma g n e t i c fie l d v a c u u m i n t e r r u p t e r [ J ] .Pro c e e d i n g s o f the C S E E , 2 0 0 1 ,2 1 6 7 2 - 7 9 i n C h i n e s e . [ 6 ] 贾申利,王季梅 ,付军,等.一种高开断能力两级纵向磁场电极 结构的真空灭弧室[ J 】 .中国电机工程学报,1 9 9 7 ,1 7 C 5 3 3 0 . 3 3 5 . J i a S h e n l i , W a n g J i me i , F u J u n , e t a1. A k i n d o f h i g h i n t e r r u p ti n g c a p a b i l it y v a c u u m i n t e r r u p t e r wi t h b i p o l o r AM F c o n t a c t c o n fi g u r a t i o n [ J ] .Pro c e e d i n g s o f t h e C S E E, 1 9 9 7 , l 7 5 3 3 0 - 3 3 5 i n C h i n e s e . [ 7 】 修士新 ,王季梅 .铁芯式两极纵磁真空灭弧室的开发研究f J 】 .电 网技术,1 9 9 9 ,2 3 6 5 0 . 5 4 . Xi u S h ix i n, W a n g J i me i . De v e l o p me n t a n d s t u d y o n i r o n c o r e s t y l e b i p o l ar axi a l ma g n e ti c fi e l d v a c u u m i n t e r r u p t e r [ J ] .P o w e r S y s t e m T e c h n o l o g y , 1 9 9 9 ,2 3 6 5 0 5 4 i n C h i n e s e . [ 8 ] 杜彦 明,顾霓鸿.国内配电开关设备现状及事故情况[ J l _电网技 术,2 0 0 2 ,2 6 2 7 0 . 7 6 . Du Ya n mi n g,Gu Ni h o n g.P r e s e n t s i t u a t i o n an d a c c i d e n t s a n aly s i s o f d i s t ri b u t i o n s w i t c h g e a r i n d o me s t i c p o we r s y s t e m[J ] .P o w e r S y s t e m T e c h n o lo g y ,2 0 0 2 ,2 6 2 7 0 - 7 6 i n C h i n e s e . [ 9 】 F r o n t z e k F R,Ko n i g D.T h e me a s u r e m e n t o f e mi s s o n c u rr e n t s i mme d i a t e l y a f t e r a r c - p o l i s h i n g o f c o n ta c t s [ J ] . I E E E T r a n s . o n E l e c . I n s . , 1 9 9 3,2 8 4 7 0 0 7 0 5. [ 1 0 ]K o n g D,He i n e me y e r R.Pre b r e a k d o w n c u rr e n t o f v a c u u m t u b e s w i t h i n c r e a s ed p r e s s u r e s t r e s s e d w i t h AC v o l ta g e [ J 】 .I E E E T r ans ,o n E l e c t ri c a l I n s u l a t io n , 1 9 8 9 ,2 4 6 9 3 7 9 4 1 . [ 1 1 ]F r o n t z e k F R,K o n i g D.E l e c t ri c al me t h o d s f o r v e r i f y i n g i n t e r n al p r e s s u r e o f v a c c u m i n t e r r u p t e r s a f t e r l o n g t i me s e r v i c e [ J ] . I E E E T r a n s . o n E l e c . I n s . ,1 9 9 3 ,2 8 4 6 3 5 6 41 . [ 1 2 ] Me r c kW FH,Da r n s tr a GC,B o u wme e s t e r CE ,e t a 1 .Me tho d s f o r e s t i ma t o i n o f t h e v a c u u m s t a t u s i n v a v u u m c i r c i r t b r e a k e r s [ J ] .I E E E Tr a n s . o n Di e l e c t ric s a n d E1 e ctr i c al I n s u l a t i o n,1 9 9 9 ,6 4 4 0 0 4 0 4 . [ 1 3 】Wa l c z a k K.Me t h o d for v a c u u m s t a t e e v al u a t i o n b a s ed o n a n al y s i s o f d y n a mi c s c h a n g e s o f e l e c t r o n fie l d e mi s s i o n c u rre n t a n d X- r a d i a t i o n i n t i me [ C] .