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1,引言6.1交流调压电路6.2其他交流电力控制电路6.3交交变频电路本章要点,第6章交流-交流变流电路,2/53,引言,■交流-交流变流电路：把一种形式的交流变成另一种形式交流的电路。■交流-交流变换电路可以分为直接方式（即无中间直流环节）和间接方式（有中间直流环节）两种。■直接方式◆交流电力控制电路：只改变电压、电流或对电路的通断进行控制，而不改变频率的电路。◆变频电路：改变频率的电路。,3/
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电力,电子技术,课件,交流,流变,流电
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第四章DC/DC变换技术,4.1非隔离DC/DC变换电路,4.1.1降压（Buck）型电路,4.1.2升压（Boost）型电路,4.1.3升降压（Buck-Boost）型电路,4.1.4库克（Cuk）型电路,4.1.5Zeta型电路,4.1.6Spice型电路,4.2隔离DC/DC变换电路,4.2.1正激（Forward）电路,4.2.2反激（Flyback）电路,4.2.3推挽（Push-Pul
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电力电子技术课件,第4章4.11,电力,电子技术,课件,4.1
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5.1概述,5.2电压型逆变电路,5.1.1逆变电路的分类5.1.2DC/AC变换的工作原理5.1.3逆变电路的换流方式,5.2.1单相电压型逆变电路5.2.2三相电压型逆变电路,第5章DC/AC变换技术,第5章DC/AC变换技术,5.3逆变电路的SPWM控制技术,5.3.1PWM控制的基本原理5.3.2SPWM调制技术5.3.3SPWM控制技术5.3.4PWM逆变电路的谐波分析5.3.5PWM逆
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电力电子技术课件,第5章1,电力,电子技术,课件
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《电力电子技术》课程实验,,2/12,,,3/12,,,4/12,,,5/12,,,6/12,,,7/12,,,8/12,,,9/12,,,10/12,,,11/12,,,12/12,,,13/12,,,14/12,,,15/12,,,16/12,,,17/12,,,18/12,,,19/12,,,20/12,,,21/12,,,电力电子综合设计性实验平台,,23/12,问题的提出,配合《电力电子
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电力,电子技术,课程,实验
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,,,,FundamentalsofPowerElectronicsTechnology,电力电子技术基础,SouthChinaUniversityofTechnology,,第二部分电力电子器件,6,,SouthChinaUniversityofTechnology,,1.6绝缘栅双极型晶体管,——IGBT的产生思路,电力电子技术基础,GTR和GTO的特点——双极型，电流驱动，有电导调制效应，通
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电力,电子技术,基础,器件
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第一讲概述,电力电子技术,PowerElectronicTechnology,本课程的目的和任务是使同学们熟悉各种电力电子器件的特性和使用方法；掌握各种电力电子电路的结构、工作原理、控制方法、设计方法及实验技能；熟悉各种电力电子装置的应用范围及技术经济指标。,课程的性质、目的和任务,本课程是电气工程与自动化专业必修的技术基础课。,什么是电力电子技术,信息电子技术——信息处理电力电子技术——电力变换
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电力电子技术,第一讲___概述1,电力,电子技术,第一,___,概述
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,,,,FundamentalsofPowerElectronicsTechnology,电力电子技术基础,SouthChinaUniversityofTechnology,,第二部分电力电子器件,6,,SouthChinaUniversityofTechnology,,1.6绝缘栅双极型晶体管,——IGBT的产生思路,电力电子技术基础,GTR和GTO的特点——双极型，电流驱动，有电导调制效应，通
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电力,电子技术,基础,器件
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第一节功率二极管,半导体基础知识一半导体材料１、半导体：其导电能力介于导体和绝缘体之间。２、导体具有某些特殊性质：如压敏热敏及掺杂特性，导电能力改变。３、半导体材料：用于制造半导体器件的材料，常用半导体材料是单晶硅和单晶锗。半导体管一般又称晶体管。４、单晶：整块晶体中的原子按一定规则整齐排列的晶体。５、本征半导体：非常纯净的且具有完整晶体结构的半导体。天然的硅和锗经提纯（99.999%以上）即为本
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电力,电子技术,电子,教案,第一章
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第2章电力电子器件,2.1电力电子器件概述1电力电子器件的概念定义：电力电子电路中能实现电能的变换和控制的半导体器件称为电力电子器件。（能够完成电能变换和控制的电路称为电力电子电路）电真空器件（如汞弧整流器）半导体器件（主要采用半导体材料硅）本课程所涉及的器件都是指半导体电力电子器件。电力电子器件是电力电子技术及其应用系统的基础。熟悉和掌握电力电子器件的结构、原理、特性和使用方法，是学好电力电子技
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电力,电子技术,21,22
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《电力电子技术》,第二章：整流电路（第一部分）,第二章整流电路（重点）,引言2.1单相可控整流电路2.1.1单相半波可控整流电路（单相半波）2.1.2单相桥式全控整流电路（单相全控桥）2.1.3单相桥式半控整流电路（单相半控桥）2.2三相可控整流电路2.2.1三相半波可控整流电路2.2.2三相桥式全控整流电路2.3变压器漏感对整流电路的影响（难点）,,2.4电容滤波的不可控整流电路（不作要求）2.
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电力电子技术,第二章,整流1,电力,电子技术,第二,整流
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第五章功率场效应晶体管（PowerMOSFET),,TO-247AC,TO-220F,TO-92,TO-126,5.1结构与工作原理,一、普通MOSFET基本结构特点：单极型电压控制器件，具有自关断能力，驱动功率小工作速度高，无二次击穿问题，安全工作区宽。1．N沟道MOSFET,工作原理：①VGS=0，无导电沟道。②VGS0，反型层出现，形成N沟道，电子导电。,类型：增强型，耗尽型,增强型
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电力,电子,半导体器件,MOSFET
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第七章绝缘栅双极晶体管（IGBT),,7.1原理与特性,一、概述IGBT——InsulatedGateBipolarTransistor近年来出现了许多新型复合器件，它们将前述单极型和双极性器件的各自优点集于一身，扬长避短，使其特性更加优越，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大等优点，因而发展很快．应用很广，已成为当前电力半导体器件发展的重要方向。其中尤以绝缘栅双极晶体管
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电力,电子,半导体器件,IGBT
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电力电子技术的Matlab仿真,Matlab概述Simulink仿真基础-Simulink简介-Simulink仿真步骤电力电子电路的仿真,提纲,1Matlab概述,MATLAB是由美国的CleverMoler博士于1980年开发的，初衷是为解决“线性代数”课程的矩阵运算问题。后来又被MathWorks公司商业化，用于算法开发、数据分析及数值计算等，主要包括MATLAB和Simulink两部分。M
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电力,电子,Matlab,仿真技术
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第四章电力晶体管,4.1GTR结构,双极型大功率、高反压晶体管——GTR（巨型晶体管）GiantTransistor三层半导体材料，两个PN结(NPN型、PNP型)。,一、工艺特点三重扩散；叉指型基极和发射极；特点：发射区高浓度掺杂基区很薄（几um—几十um）,N-掺杂浓度低，提高耐压能力,,N+集电区收集电子,,使用时要求：发射结正偏，集电结反偏。,二、GTR与普通晶体管区别,,1.普通晶体管：
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电力,电子,半导体器件,GTR
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第四章电力晶体管,4.1GTR结构,双极型大功率、高反压晶体管——GTR（巨型晶体管）GiantTransistor三层半导体材料，两个PN结(NPN型、PNP型)。,一、工艺特点三重扩散；叉指型基极和发射极；特点：发射区高浓度掺杂基区很薄（几um—几十um）,N-掺杂浓度低，提高耐压能力,,N+集电区收集电子,,使用时要求：发射结正偏，集电结反偏。,二、GTR与普通晶体管区别,,1.普通晶体管：
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电力,电子,半导体器件,GTR
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,,,PowerElectronicsTechnology,电力电子技术,SouthChinaUniversityofTechnology,,第四部分电力电子控制策略,6,,SouthChinaUniversityofTechnology,本节主要参考书目,☆JaiP.Agrawal，《PowerElectronicsSystems》，清华大学出版社，2001.08,☆UniversityofCo
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电力,电子,控制,策略
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第六章可关断晶闸管（GTO）,特点：是SCR的一种派生器件；具有SCR的全部优点，耐压高、电流大、耐浪涌能力强，造价便宜；为全控型器件，工作频率高，控制功率小，线路简单，使用方便。,6.1GTO结构及工作原理,GateTurn-offThyristor——GTO,一、结构：四层PNPN结构，三端器件；,特点：①α11定义：α1+α2=1时，对应的阳极电流为临界导通电流。——擎住电流,由于α1、α2
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电力,电子,半导体器件,GTO
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电力电缆现场安装与故障诊断2012年01月,主要内容一、电缆的基本知识二、电缆线路敷设三、电缆附件及安装四、电缆线路故障诊断,一、电缆的基本知识电缆的构成：（构成电缆的三要素）1）导体2）绝缘3）保护层,电缆的构成,导体,1.导体铜电阻系数为0.0184，比重8.9铝电阻系数为0.031，比重2.7(铜的30%)(66kV及以上不用铝芯)我国规定的线芯截面（mm2）规格:2.5、4、6、10、16
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电力电缆,现场,安装,故障诊断
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第六章可关断晶闸管（GTO）,特点：是SCR的一种派生器件；具有SCR的全部优点，耐压高、电流大、耐浪涌能力强，造价便宜；为全控型器件，工作频率高，控制功率小，线路简单，使用方便。,6.1GTO结构及工作原理,GateTurn-offThyristor——GTO,一、结构：四层PNPN结构，三端器件；,特点：①α11定义：α1+α2=1时，对应的阳极电流为临界导通电流。——擎住电流,由于α1、α2
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电力,电子,半导体器件,GTO
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电力电子半导体器件,参考书1.电力电子器件及其应用李序葆、赵永健编著机械工业出版社2.现代电力电子技术张立、赵永健编著科学出版社3.现代电力电子电路林渭勋编著浙江大学出版社,第一章绪论,1.1电力电子技术(PowerElectronics)----以电力为对象的一门新兴高新技术学科。,一、定义,按美国电气和电子工程协会（IEEE）电子学会的定义：有效地使用电力半导体器件、应用电路和设计理论及分析开
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电力,电子,半导体器件
